Купить IPB025N10N3GATMA1
| Наименование | IPB025N10N3GATMA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
| Документация | Открыть |
Доступно к поставке: 1300 шт. (в наличии на зарубежном складе)
Срок поставки: 6 недель
Срок поставки: 6 недель
Параметры товара:
| Part Status | Active |
| Series | OptiMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Как заказать:
Отправьте запрос с указание компонентов, требуемых количеств и вашими реквизитами нам на email: sales@triom-llc.ru. Мы оформим вам счет на оплату. После получения оплаты товары будут заказаны и поступят на наш склад в течение указанного срока поставки. Мы уведомим вас об этом и отправим товары курьерской службой в ваш адрес. Курьер принесет заказ вам прямо в офис.