Купить SIHH21N65E-T1-GE3
| Наименование | SIHH21N65E-T1-GE3 |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 |
| Документация | Открыть |
Доступно к поставке: 2888 шт. (в наличии на зарубежном складе)
Срок поставки: 6 недель
Срок поставки: 6 недель
Параметры товара:
| Part Status | Discontinued at |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 11A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.3A (Tc) |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2404pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Как заказать:
Отправьте запрос с указание компонентов, требуемых количеств и вашими реквизитами нам на email: sales@triom-llc.ru. Мы оформим вам счет на оплату. После получения оплаты товары будут заказаны и поступят на наш склад в течение указанного срока поставки. Мы уведомим вас об этом и отправим товары курьерской службой в ваш адрес. Курьер принесет заказ вам прямо в офис.