Купить SQV120N10-3M8_GE3
Наименование | SQV120N10-3M8_GE3 |
Производитель | Vishay Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3 |
Документация | Открыть |
Доступно к поставке: 1383 шт. (в наличии на зарубежном складе)
Срок поставки: 6 недель
Срок поставки: 6 недель
Параметры товара:
Part Status | Active |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Supplier Device Package | TO-262-3 |
Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7230pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Как заказать:
Отправьте запрос с указание компонентов, требуемых количеств и вашими реквизитами нам на email: sales@triom-llc.ru. Мы оформим вам счет на оплату. После получения оплаты товары будут заказаны и поступят на наш склад в течение указанного срока поставки. Мы уведомим вас об этом и отправим товары курьерской службой в ваш адрес. Курьер принесет заказ вам прямо в офис.