Купить SISS12DN-T1-GE3
Наименование | SISS12DN-T1-GE3 |
Производитель | Vishay Siliconix |
Описание | MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212- |
Документация | Открыть |
Доступно к поставке: 5331 шт. (в наличии на зарубежном складе)
Срок поставки: 6 недель
Срок поставки: 6 недель
Параметры товара:
Part Status | Active |
Series | TrenchFET® Gen IV |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.98mOhm @ 10A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.5A (Ta), 60A (Tc) |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4270pF @ 20V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Как заказать:
Отправьте запрос с указание компонентов, требуемых количеств и вашими реквизитами нам на email: sales@triom-llc.ru. Мы оформим вам счет на оплату. После получения оплаты товары будут заказаны и поступят на наш склад в течение указанного срока поставки. Мы уведомим вас об этом и отправим товары курьерской службой в ваш адрес. Курьер принесет заказ вам прямо в офис.