Купить SISS12DN-T1-GE3

Product image

НаименованиеSISS12DN-T1-GE3
ПроизводительVishay Siliconix
ОписаниеMOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-
ДокументацияОткрыть
Доступно к поставке: 3000 шт. (в наличии на зарубежном складе)
Срок поставки: 6 недель

Параметры товара:

Part StatusActive
SeriesTrenchFET® Gen IV
PackagingTape & Reel (TR)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package / CasePowerPAK® 1212-8S
Supplier Device PackagePowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max)5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.98mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37.5A (Ta), 60A (Tc)
FET TypeN-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4270pF @ 20V
Vgs (Max)+20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Отправить запрос

Как заказать:

Отправьте запрос с указание компонентов, требуемых количеств и вашими реквизитами нам на email: sales@triom-llc.ru. Мы оформим вам счет на оплату. После получения оплаты товары будут заказаны и поступят на наш склад в течение указанного срока поставки. Мы уведомим вас об этом и отправим товары курьерской службой в ваш адрес. Курьер принесет заказ вам прямо в офис.